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双向触发二极管

2023-02-20 16:47:26 来源:金风故事网

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双向触发二极管 来源:本站整理•作者:佚名• 2009-04-26 14:03 • 次阅读 • 个评论 双向触发二极管一:

双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的,常用来触发双向晶闸管。


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双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性如图1所示。它是三层、对称性质的二端半导体器件,等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称。

当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时,呈高阻态;当 U>Ubo 时进入负阻区。同样,当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时,管子也能进入负阻区。

转折电压的对称性用△Ub表示

△Ub=Ubo-|Ubr|

一般要求 △Ub保护电路。当瞬态电压超过DIAC和Ubo时,DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通,使后面的负载免受过压损害。

双向触发二极管二:  


双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护等用途。

图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。

双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称(见图5)。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(B0)时,器件呈高阻态。当U>V(B0)时,管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V(BR)时,管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级:20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V,可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管,表针均应不动(RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏,并能提供大于250V的直流电压的电源,检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有,可用兆欧表按图6所示进行测量(正、反各一次),电压大的一次V(BR)。例如:测一只DB3型二极管,第一次为27.5V,反向后再测为28V,则△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V电位器R2,可以改变双向可控硅的导通角,从而改变通过灯泡的电流(平均值)实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。

该电路在双向可控硅加散热器的情况下,可控负载功率可达500W,各元件参数见图所标注。


双向触发二极管DB3DB3双向触发二极管全新原装现货,欢迎来电咨询洽谈订购!产品种类:双向触发二极管转折电压(最小值):30V转折电压(典型值):32V转折电压(最大值):34V转折电流(Ibo):15μA通态重复峰值1970-01-01 08:00:00稳压二极管和TVS二极管的区别稳压二极管和TVS二极管一、稳压二极管和TVS二极管原理1、稳压二极管稳压二极管是一种利用PN结属于反向击穿电压基本保持不变,但是电流可以在一定范围值内变化,稳压二极管在反向击穿电压前具有高阻态2021-11-08 12:21:0036稳压二极管 TVS二极管稳压二极管稳压二极管利用的特性是:二极管被反向击穿之后,随着电流的变化,稳压二极管两端电压维持不变的特性;普通二极管反向击穿后就坏了,但是稳压二极管却可以恢复,而且在被击穿后处在正常的工作状态2021-11-08 09:21:0030TVS管与稳压二极管的区别二极管,主要是用来抑制瞬时电压尖峰,减少尖峰电压对元器件的损耗。稳压二极管主要是稳压的作用。双向击穿二极管也称瞬态电压抑制二极管(TVS),是一种具有双向稳压特性和双向负阻特性的过压保护器件,类似...2021-11-08 09:05:5915模电笔记2 二极管 稳压二极管二极管1.1二极管材料开启电压导通电压反向饱和电流硅0.50.6-0.8 0.1锗0.10.1-0.3几十使二极管开始导通的临界电压称为开启电压图1.1 二极管的伏安特性1.2温度对二极管2021-11-07 19:20:5915肖特基二极管一.肖特基二极管的定义二.肖特基二极管的主要参数三.肖特基二极管的优点和缺点四.肖特基二极管的命名规则五.肖特基二极管的封装类型六.肖特基二极管之光伏专用2021-06-26 11:14:340肖特基二极管概论一. 肖特基二极管的定义二. 肖特基二极管的主要参数三. 肖特基二极管的优点和缺点四. 肖特基二极管的命名规则五. 肖特基二极管的封装类型六. 肖特基二极管之光伏专用2021-06-18 14:19:320TVS二极管与ESD二极管之间的区别是什么关于ESD二极管和TVS二极管,很多人还傻傻地分不清楚这两者的区别,总以为这是同一个二极管。ESD二极管,亦称为TVS二极管阵列,是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或2021-04-08 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